- Main
- Engineering
- Operation and modeling of the MOS...
Operation and modeling of the MOS transistor
Tsividis, Yannisคุณชอบหนังสือเล่มนี้มากแค่ไหน
คุณภาพของไฟล์เป็นอย่างไรบ้าง
ดาวน์โหลดหนังสือเพื่อประเมินคุณภาพของไฟล์
คุณภาพของไฟล์ที่คุณดาวน์โหลดมาเป็นอย่างไรบ้าง
Operation and Modeling of the MOS Transistor has become a standard in academia and industry. Extensively revised and updated, the third edition of this highly acclaimed text provides a thorough treatment of the MOS transistor--the key element of modern microelectronic chips.
หมวดหมู่:
ปี:
2011
ฉบับพิมพ์ครั้งที่:
3rd ed.
สำนักพิมพ์:
Oxford University Press
ภาษา:
english
จำนวนหน้า:
723
ISBN 10:
0195170156
ISBN 13:
9780195170153
ซีรีส์:
3
ไฟล์:
PDF, 80.37 MB
แท็กของคุณ:
IPFS:
CID , CID Blake2b
english, 2011
ดาวน์โหลด (pdf, 80.37 MB)
- Checking other formats...
- แปลงเป็น
- ปลดล็อกการแปลงไฟล์ขนาดใหญ่กว่า 8 MBPremium
ไฟล์จะถูกส่งไปยังที่อยู่อีเมลของคุณ อาจใช้เวลา 1-5 นาที ก่อนที่คุณจะได้รับ
ไฟล์จะถูกส่งไปยังบัญชี Telegram ของคุณภายใน 1-5 นาที
สำคัญ: กรุณาตรวจสอบให้แน่ใจว่าคุณได้เชื่อมโยงบัญชีของคุณกับบอตของ Z-Library ใน Telegram
ไฟล์จะถูกส่งไปยังอุปกรณ์ Kindle ของคุณภายใน 1-5 นาที
หมายเหตุ: คุณต้องยืนยันหนังสือทุกเล่มที่คุณจะส่งไปยัง Kindle ของคุณ ตรวจสอบกล่องจดหมายเข้าของคุณเพื่อค้นหาอีเมลยืนยันจาก Amazon Kindle Support
กำลังแปลงเป็น อยู่
การแปลงเป็น ล้มเหลว
สิทธิประโยชน์ของบัญชีแบบพรีเมียม
- ส่งไฟล์ไปยังเครื่อง eReader
- ขีดจำกัดการดาวน์โหลดที่เพิ่มขึ้น
- สามารถแปลงไฟล์ได้
- ผลการค้นหาเพิ่มเติม
- สิทธิประโยชน์อื่นๆ